Infineon Technologies IRF450

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

质量

10g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2001

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

500V

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

额定电流

12A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

190ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅