Infineon Technologies IRF5803TR
- 收藏
- 对比
IRF5803TR
1211-IRF5803TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
--最小包装量--
IRF5803TR详情
Infineon Technologies IRF5803TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
112m Ω @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.4A
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRF5803TR拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。