Infineon Technologies IRF6100
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IRF6100
1211-IRF6100
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-FlipFet™
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MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
--最小包装量--
IRF6100详情
Infineon Technologies IRF6100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-FlipFet™
引脚数
4
供应商器件包装
4-FlipFet™
Power Dissipation (Max)
2.2W Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.1A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-5.1A
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 5.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1230pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
5.1A
输入电容
1.23nF
最大rds
65 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRF6100拓展信息
Infineon Technologies
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