Infineon Technologies IRF6100PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-FlipFet™

引脚数

4

供应商器件包装

4-FlipFet™

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

2.2W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1230pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

5.1A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

双电源电压

-20V

输入电容

1.23nF

最大rds

65 mΩ

栅源电压

-1.2 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅