Infineon Technologies IRF6604TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MQ

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 7V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

电阻

11.5mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

2.3W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5mOhm @ 12A, 7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2270pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

反向恢复时间

31 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

2.27nF

漏源电阻

11.5Ohm

最大rds

11.5 mΩ

栅源电压

2.1 V

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅