Infineon Technologies IRF6608

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric ST

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 42W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2120pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V