Infineon Technologies IRF6621TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

12A

功率耗散

2.2W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1460pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.1 ns

反向恢复时间

9.8 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

1.46nF

漏源电阻

7mOhm

最大rds

9.1 mΩ

栅源电压

1.8 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅