Infineon Technologies IRF6626

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric ST

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 72A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2380pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16A

漏极-源极导通最大电阻

0.0054Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

24 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant