Infineon Technologies IRF6635TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MX

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Ta 180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

32A

功率耗散

2.8W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8mOhm @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5970pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

25A

阈值电压

1.8V

漏源击穿电压

30V

输入电容

5.97nF

最大rds

1.8 mΩ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅