Infineon Technologies IRF6638PBF
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IRF6638PBF
1211-IRF6638PBF
集成电路(IC)
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IRF6638PBF详情
Infineon Technologies IRF6638PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRF6638PBF
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
25 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Reflow Temperature-Max (s)
40
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
140 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0029 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
37 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
89 W
IRF6638PBF拓展信息
Infineon Technologies
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