Infineon Technologies IRF6665TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SH

引脚数

6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta 19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

62m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.3 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

漏源击穿电压

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant