Infineon Technologies IRF6691TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MT

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ MT

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Ta 180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

32A

功率耗散

2W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6580pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 4.5V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

32mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

6.58nF

漏源电阻

2.5mOhm

最大rds

1.8 mΩ

高度

506μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅