Infineon Technologies IRF6810STR1PBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric S1

供应商器件包装

DIRECTFET S1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 20W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1038pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±16V