Infineon Technologies IRF6811STR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

6

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 74A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 32W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.7MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

8.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7mOhm @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 35μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1590pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

74A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

25V

输入电容

1.59nF

漏源电阻

5.4mOhm

最大rds

3.7 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅