Infineon Technologies IRF7220

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 11A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8075pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

14V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.8A

漏极-源极导通最大电阻

2.5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11A

DS 击穿电压-最小值

400V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant