Infineon Technologies IRF7322D1PBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

FETKY™

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

compliant

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

62m Ω @ 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

780pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.3A

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

符合RoHS标准