IRF7326D2TR
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Infineon Technologies IRF7326D2TR

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型号

IRF7326D2TR

utmel 编号

1211-IRF7326D2TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

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IRF7326D2TR Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

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IRF7326D2TR详情

Infineon Technologies IRF7326D2TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SO

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.6A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2W Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    FETKY™

  • 已出版

    1999

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 1.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    440pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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