Infineon Technologies IRF7342D2TRPBF
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IRF7342D2TRPBF
1211-IRF7342D2TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
1最小包装量--
IRF7342D2TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7342D2TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A Ta
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
43 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
FETKY™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2W
配置
Single
功率耗散
2W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
105m Ω @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
690pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
55V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
3.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7342D2TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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