Infineon Technologies IRF7404QTRPBF
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IRF7404QTRPBF
1211-IRF7404QTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7404QTRPBF详情
Infineon Technologies IRF7404QTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.7A Ta
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
100 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.5W
配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 3.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 4.5V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
65 ns
连续放电电流(ID)
-6.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.7A
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7404QTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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