Infineon Technologies IRF7416QTRPBF

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Turn Off Delay Time

59 ns

Number of Elements

1

已出版

2007

系列

HEXFET®

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.5W

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

92nC @ 10V

上升时间

49ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

-10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

栅源电压

-1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC