Infineon Technologies IRF7453PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

250V

额定电流

2.2A

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

230mOhm @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

930pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

2.5ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

输入电容

930pF

最大rds

230 mΩ

栅源电压

5.5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅