Infineon Technologies IRF7459

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

12A

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2480pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 4.5V

上升时间

4.5ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

12A

漏源击穿电压

20V

输入电容

2.48nF

最大rds

9 mΩ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅