Infineon Technologies IRF7464TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.2A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

730MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

200V

额定电流

1.2A

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

730mOhm @ 720mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

9.5ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

1.2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

输入电容

280pF

漏源电阻

730mOhm

最大rds

730 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅