Infineon Technologies IRF7466PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

11A

行间距

6.3 mm

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 4.5V

上升时间

2.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

2.1nF

漏源电阻

17mOhm

最大rds

12.5 mΩ

栅源电压

3 V

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅