Infineon Technologies IRF7467TRPBF
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IRF7467TRPBF
1211-IRF7467TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7467TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7467TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2530pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 4.5V
上升时间
2.5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.53nF
漏源电阻
12mOhm
最大rds
12 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7467TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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