Infineon Technologies IRF7471TRPBF
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IRF7471TRPBF
1211-IRF7471TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7471TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7471TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
额定电流
10A
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2820pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 4.5V
上升时间
2.7ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
2.82nF
漏源电阻
16mOhm
最大rds
13 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7471TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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