Infineon Technologies IRF7493
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IRF7493
1211-IRF7493
集成电路(IC)
--
大陆
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MOSFET Transistor, N-Channel, SO
--最小包装量--
IRF7493详情
Infineon Technologies IRF7493重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRF7493
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
SOIC
Package Description
SO-8
Risk Rank
7.77
Drain Current-Max (ID)
9.3 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
74 A
DS 击穿电压-最小值
80 V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
IRF7493拓展信息
Infineon Technologies
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