Infineon Technologies IRF7493TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

80V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

9.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53nC @ 10V

上升时间

7.5ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9.3A

JEDEC-95代码

MS-012AA

漏极-源极导通最大电阻

0.015Ohm

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

74A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅