Infineon Technologies IRF7524D1GTRPBF
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IRF7524D1GTRPBF
1211-IRF7524D1GTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
--最小包装量--
IRF7524D1GTRPBF详情
Infineon Technologies IRF7524D1GTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-uSMD
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
9.1 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
240pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2nC @ 4.5V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
43 ns
连续放电电流(ID)
1.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
240pF
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
270mOhm
最大rds
270 mΩ
高度
939.8μm
长度
3.0988mm
宽度
3.0988mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7524D1GTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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