Infineon Technologies IRF7526D1
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IRF7526D1
1211-IRF7526D1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
--最小包装量--
IRF7526D1详情
Infineon Technologies IRF7526D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
FETKY™
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-30V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2A
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRF7526D1拓展信息
Infineon Technologies
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