Infineon Technologies IRF7534D1PBF
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IRF7534D1PBF
1211-IRF7534D1PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
--最小包装量--
IRF7534D1PBF详情
Infineon Technologies IRF7534D1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
Micro8™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
FETKY™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
55mOhm @ 4.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1066pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
4.3A
阈值电压
-1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
输入电容
1.066nF
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
55mOhm
最大rds
55 mΩ
高度
910μm
长度
3.05mm
宽度
3.05mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7534D1PBF拓展信息
Infineon Technologies
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