Infineon Technologies IRF7604TRPBF
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IRF7604TRPBF
1211-IRF7604TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
--最小包装量--
IRF7604TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7604TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
Micro8™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
31 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
电阻
90mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
590pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V
上升时间
53ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
-3.6A
阈值电压
-700mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
590pF
漏源电阻
90mOhm
最大rds
90 mΩ
栅源电压
-700 mV
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7604TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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