Infineon Technologies IRF7663

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

Micro8™

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

包装

Tube

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

20mOhm

最高工作温度

150°C

电压 - 额定直流

-20V

额定电流

-8.2A

螺纹距离

650μm

行间距

4.24 mm

功率耗散

1.8W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2520pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 5V

上升时间

100ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

反向恢复时间

70 ns

连续放电电流(ID)

8.2A

阈值电压

-1.2V

输入电容

2.52nF

最大rds

20 mΩ

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅