Infineon Technologies IRF7702TRPBF
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IRF7702TRPBF
1211-IRF7702TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
--最小包装量--
IRF7702TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7702TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Tc
Turn Off Delay Time
320 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
14mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14mOhm @ 8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3470pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
81nC @ 4.5V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
250 ns
连续放电电流(ID)
-8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
输入电容
3.47nF
漏源电阻
14mOhm
最大rds
14 mΩ
高度
1.0414mm
长度
3.0988mm
宽度
4.4958mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7702TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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