Infineon Technologies IRF7703

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2005

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-40V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅