Infineon Technologies IRF7703GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

1.5W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-40V

输入电容

5.22nF

漏源电阻

45mOhm

最大rds

28 mΩ

栅源电压

-3 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准