Infineon Technologies IRF7705GTRPBF
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IRF7705GTRPBF
1211-IRF7705GTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
1最小包装量--
IRF7705GTRPBF详情
Infineon Technologies IRF7705GTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.5W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2774pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
输入电容
2.774nF
漏源电阻
30mOhm
最大rds
18 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7705GTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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