Infineon Technologies IRF7705TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

270 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

18MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2774pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

88nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

128 ns

连续放电电流(ID)

-8A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

输入电容

2.774nF

漏源电阻

30mOhm

最大rds

18 mΩ

栅源电压

-2.5 V

高度

1.0414mm

长度

3.0988mm

宽度

4.4958mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅