Infineon Technologies IRF7706GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.51W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

1.51W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2211pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

2.211nF

漏源电阻

36mOhm

最大rds

22 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准