Infineon Technologies IRF7706TRPBF
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IRF7706TRPBF
1211-IRF7706TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
1最小包装量--
IRF7706TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7706TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.51W Ta
Turn Off Delay Time
244 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
22MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.51W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2211pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
122 ns
连续放电电流(ID)
-7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
输入电容
2.211nF
漏源电阻
36mOhm
最大rds
22 mΩ
高度
1.0414mm
长度
3.0988mm
宽度
4.4958mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7706TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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