Infineon Technologies IRF7807APBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

25MOhm

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

6.6A

行间距

6.3 mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

8.3A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

双电源电压

30V

栅源电压

1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

Contains Lead, Lead Free