Infineon Technologies IRF7807VD2TR
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IRF7807VD2TR
1211-IRF7807VD2TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
1最小包装量--
IRF7807VD2TR详情
Infineon Technologies IRF7807VD2TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRF7807VD2TR拓展信息
Infineon Technologies
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