IRF7811
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Infineon Technologies IRF7811

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型号

IRF7811

utmel 编号

1211-IRF7811

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

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IRF7811 Infineon Technologies MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

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IRF7811详情

Infineon Technologies IRF7811重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -55°C

  • Power Dissipation (Max)

    3.5W Ta

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11m Ω @ 15A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1800pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    28V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • JEDEC-95代码

    MS-012AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    10.8A

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Infineon Technologies IRF7811.

IRF7811拓展信息

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