Infineon Technologies IRF7834TR
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IRF7834TR
1211-IRF7834TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
1最小包装量--
IRF7834TR详情
Infineon Technologies IRF7834TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3710pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
19A
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRF7834TR拓展信息
Infineon Technologies
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