Infineon Technologies IRF7946TR1PBF
- 收藏
- 对比
IRF7946TR1PBF
1211-IRF7946TR1PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
DirectFET™ Isometric MX
大陆
立即发货

MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
--最小包装量--
IRF7946TR1PBF详情
Infineon Technologies IRF7946TR1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
引脚数
7
供应商器件包装
DIRECTFET™ MX
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
96W Tc
Turn Off Delay Time
54 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
96W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4mOhm @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6852pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
212nC @ 10V
上升时间
49ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
41 ns
连续放电电流(ID)
90A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
6.852nF
漏源电阻
1.4mOhm
最大rds
1.4 mΩ
栅源电压
3 V
高度
530μm
长度
6.35mm
宽度
5.05mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7946TR1PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。