显示的结果

'irf8113'

11结果

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	晶体管元件材料	外壳材料	Analog				Gross Weight			Melting temperature	厂商													Soldering temperature	Transport package size/quantity			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终端	ECCN 代码	温度系数	类型	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	额定功率	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	电阻器类型	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	行间距	元素配置	操作模式	功率耗散	接通延迟时间	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	设计	双电源电压	输入电容	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	电阻公差	场效应管特性
IRF8113	Infineon Technologies	数据表	1290 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	SILICON							17.2A Ta	4.5V 10V	1		2.5W Ta					2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tube	2005	HEXFET®			Obsolete	1 (Unlimited)	8					未说明				DUAL	鸥翼	未说明			未说明	R-PDSO-G8		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET			N-Channel	SWITCHING	5.6m Ω @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V		30V	±20V					MS-012AA		17.2A	0.0056Ohm		135A			30V	48 mJ													Non-RoHS Compliant
IRF8113TR	Infineon Technologies	数据表	38 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES							17.2A Ta	4.5V 10V	2.5W Ta							2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	HEXFET®			Obsolete	1 (Unlimited)			EAR99															Single			增强型MOSFET			N-Channel		5.6m Ω @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V		30V	±20V							17.2A																				Non-RoHS Compliant
IRF8113PBF	Infineon Technologies	数据表	5345 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	SILICON							17.2A Ta	4.5V 10V	1		2.5W Ta					2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tube	2005	HEXFET®	e3		Discontinued	1 (Unlimited)	8		EAR99			Matte Tin (Sn)				DUAL	鸥翼	未说明			未说明	R-PDSO-G8	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET			N-Channel	SWITCHING	5.6m Ω @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V		30V	±20V					MS-012AA		17.2A	0.0056Ohm		135A			30V	48 mJ													ROHS3 Compliant
IRF8113PBF	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SO		International Rectifier									Bulk	17.2A (Ta)	4.5V, 10V				2.5W (Ta)	2.2V @ 250µA	活跃	-55°C ~ 150°C (TJ)			HEXFET®													MOSFET (Metal Oxide)															N-Channel		5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2910 pF @ 15 V	36 nC @ 4.5 V		30 V	±20V																-
IRF8113GPBF	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SO							17.2A Ta	4.5V 10V	2.5W Ta							2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tube		HEXFET®			Obsolete	1 (Unlimited)																								N-Channel		5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2.91pF @ 15V	36nC @ 4.5V		30V	±20V																											ROHS3 Compliant
IRF8113GPBF	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SO	17.2A (Ta)	4.5V, 10V		International Rectifier	2.5W (Ta)	Obsolete									AEC-Q200	50V			Tube	2.2V @ 250µA		-55°C ~ 150°C (TJ)			HEXFET®							± 100ppm/°C	68kohm			100mW		MOSFET (Metal Oxide)			通用型												N-Channel		5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2910 pF @ 15 V	36 nC @ 4.5 V		30 V	±20V															± 5%	-			1mm	0.5mm
IRF8113PBF-1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	有	Obsolete		INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.17			1	未说明															IRF8113PBF-1																			未说明		compliant
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	数据表	3420 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	8-SO							17.2A Ta	4.5V 10V	1		2.5W Ta	17 ns				2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tube	2009	HEXFET®			Obsolete	1 (Unlimited)						150°C	-55°C															2.5W	13 ns	N-Channel		5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V	8.9ns	30V	±20V		3.5 ns	17.2A			20V		30V				2.91nF					7.4mOhm	5.6 mΩ	2.2 V			1.4986mm	4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	符合RoHS标准
IRF8113TRPBF	Infineon Technologies	数据表	528 In Stock	1: ¥2.774107 10: ¥2.617081 100: ¥2.468946 500: ¥2.329193 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8							17.2A Ta	4.5V 10V	1		2.5W Ta	17 ns				2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	HEXFET®			活跃	1 (Unlimited)		SMD/SMT	EAR99		5.6MOhm			30V						16.6A				Single	6.3 mm		增强型MOSFET	2.5W	13 ns	N-Channel		5.6m Ω @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V	8.9ns		±20V		3.5 ns	17.2A	2.2V		20V		30V			30V								2.2 V			1.4986mm	4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	Contains Lead, Lead Free
IRF8113TRPBF	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	0.05 kg	1	POS40	56.83	183...240 °C	150 °C								有	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	,	285...330 °C	352835/300	17.2 A				coil			e3	有					EAR99	Soft solder with flux, tin-lead Sn/Pb	哑光锡						260		unknown		30			SINGLE			增强型MOSFET											N-CHANNEL								tube				METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2.5 W					1		2 mm
IRF8113GTRPBF	Infineon Technologies	数据表	10255 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	8-SO							17.2A Ta	4.5V 10V	1		2.5W Ta	17 ns				2.2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	HEXFET®			Obsolete	1 (Unlimited)						150°C	-55°C													Single		2.5W	13 ns	N-Channel		5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2910pF @ 15V	36nC @ 4.5V	8.9ns	30V	±20V		3.5 ns	17.2A			20V		30V				2.91nF					5.6mOhm	5.6 mΩ	2.2 V			1.4986mm	4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	符合RoHS标准