Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MX

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta 140A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 75W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5mOhm @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4110pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 4.5V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

4.11nF

场效应管特性

Schottky Diode (Body)

漏源电阻

25mOhm

最大rds

2.5 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准