IRF8308MTR1PBF
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Infineon Technologies IRF8308MTR1PBF

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型号

IRF8308MTR1PBF

utmel 编号

1211-IRF8308MTR1PBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DirectFET™ Isometric MX

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 27A MX

起订量

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IRF8308MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 27A MX

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IRF8308MTR1PBF详情

Infineon Technologies IRF8308MTR1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DirectFET™ Isometric MX

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    27A Ta 150A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.8W Ta 89W Tc

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.5m Ω @ 27A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.35V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4404pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    42nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

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