Infineon Technologies IRF9530NSPBF
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IRF9530NSPBF
1211-IRF9530NSPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Operating temperature: -55... 175 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 79 W
--最小包装量--
IRF9530NSPBF详情
Infineon Technologies IRF9530NSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 79W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
1998
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
not_compliant
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 8.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
760pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
58nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRF9530NSPBF拓展信息
Infineon Technologies
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