Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
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IRFB4229PBFXKMA1
1211-IRFB4229PBFXKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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TRENCH >=100V
1最小包装量--
IRFB4229PBFXKMA1详情
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
厂商
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4560 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
250 V
Vgs(最大值)
±30V
IRFB4229PBFXKMA1拓展信息
Infineon Technologies
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